"2진 반도체"이어 "3진 반도체"도 한국인 연구자의 손으로...

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2019년 UNIST 김경록 교수팀에서 개발에 성공했다던 3진법 금속-산화막-반도체 (Ternary Metal-Oxide-Semiconductor) 대면적 웨이퍼(실리콘 기판) 구현 기술 !!!

지금 어디쯤 왔는지 궁금해집니다. 기대가 큰 기술이기 때문입니다.

3진 반도체 T-MOS를 쉽게 설명이 잘된 유튜브 영상이 있어서 공유합니다.

<참고> 3진 금속-산화막-반도체이란 전류가 차단된 상태를 “0”, 전류가 흐르는 상태를 “1”로 처리하는 (0,1) 2진 반도체와 달리 반도체 사이를 흐르는 누설전류를 신호로 처리하여, (0, 1, 2) 3가지 단위정보로 처리하는 반도체이다. 반도체 소자의 집적도를 높이는 개발과정에서 소자의 소형화로 인해 누설전류가 커져 소비전력이 증가하는 문제를 거꾸로 이용하여 기존 반도체의 2진 (0, 1) 반도체에 불순물로 첨가한 물질을 이용해 반도체 사이를 흐르는 누설전류를 신호정보로 처리하였다.


생각해보니, 2진법 반도체도 한국인이 주도한 연구 결과물이었습니다. 

MOSFET 작동원리 기초 유튜브

현재 2진 (0, 1) 반도체의 발판을 마련한 "금속 산화막 반도체 전계효과트랜지스터(MOSFET)", 1959년 한국의 강대원 박사가  벨 연구실(Bell Labs)에서 마틴 아탈라 박사와 공동으로 처음 발명한 것이었습니다 (강대원박사의 미국특허등록번호 제3,102,230호, Patiented Aug. 27, 1963).

<US3102230A (1960-03-08 Priority to US13688A)>

Inventor : Kahng Dawon  [Assignee : Bell Telephone Laboratories Inc. (AT&T Corp)]


"2진 반도체"이어 "3진 반도체"도 한국인 연구자의 손으로 역사를 써가고 있습니다.


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