AI로 주목받는 ‘차세대 메모리’ (상) 저항변화(RRAM) & 자기저항(MRAM) 소자
추억의 ‘저항 기반 변화’ 메모리… "MRAM"과 “RRAM”의 부활 !!!
2004년경 삼성종합기술원에서 담당한 과제가 차세대 메모리인 상변화 메모리(Phase Change RAM, PRAM), 저항변화 메모리(Resistive RAM, RRAM), 자기저항 메모리(Magnetic RAM, MRAM) 이었기 때문에 "MRAM"과 “RRAM”에 관한 기업체의 동향을 들으면 관심이 많아진다.
인공지능 기술의 시대, 사실 인공지능 기술의 대중화는 소프트웨어적인 문제보다는 메모리 장벽과 같은 하드웨어적인 장벽에 발목이 잡혀 있다. 현재 전하기반 메모리 소자와 메모리 계층구조의 근본적인 한계를 함께 짚어보았다.
이러한 장벽을 돌파하고 있는 AI칩.
AI칩은 CPU 내에 뉴런/시냅스 소자와 비휘발성 메모리 소자가 동시에 내장되어 있다. 이제는 메모리가 프로세서이고 프로세서가 메모리인 시대가 도래하고 있다. 뉴로모픽(neuromorphic) 기술을 소개하고 이러한 구조에 대한 최적의 대안 "MRAM"과 "RRAM"을 소개한다.
[이진수의 ‘특허포차’] ㊶ AI로 주목받는 ‘차세대 메모리’ (상) 저항변화(RRAM) & 자기저항(MRAM) 소자
